3. Una pastilla de silicio está dopada con fósforo cuya concentración es . A) Hallar la energía del nivel donor y la
energía de Fermi a temperatura ambiente (300K). Justificar cualquier aproximación que realice. B) Hallar la
expresión de la conductividad de este semiconductor como función de T entre 0 y 300K. C) Hacer una gráfica de
ln(s) vs 1/KT para toda T dando cuenta de los parámetros característicos de la curva. Explicar el comportamiento de
la conducción eléctrica en este semiconductor.
Datos a 300K:
supuestas constantes.
Por balance de cargas tengo que:
Como el fósforo pertenece al grupo 5, se agregan donóras lo que implica que n > p, ergo será de tipo n. Supongo que a 300K está todo ionizado, por lo que me queda lo siguiente:
En limpio:
Cálculo de n:
Cálculo de la energía de Fermi:
Despejando de ahí llego a que
La parte que no se como sacar es la de la energía del nivel donor.
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